MOSFET/场效应管 SI2309
产品型号:SI2309
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
最小包装:3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):-60V
漏极电流(ID):-1..25A(VGS =-10V)
RDS(ON) < 340mΩ (VGS =-10V)
RDS(ON) < 550mΩ (VGS =-4.5V)
漏源电流脉冲IDM:-8A
栅源电压(VGS): ±20V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.25W
栅源极开启电压VGS(th):-1.0 ~ -3.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著名半导体厂家的晶圆芯片,OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。
主营贴片二、三极管系列,高、低压MOS系列,电源管理IC(AC-DC/DC-DC), LDO低压差线性稳压器,三端稳压IC,基准源IC,LED驱动IC,降压、升压IC,电压检测,运算放大器,电压比较器,时基电路,功放电路,可控硅,整流桥等系列产品。
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